理工基础化学

图书标准信息

• 作者 李澄、祁欣、王玲、梅天庆 著
• 出版社 科学出版社
• 出版时间 2016-09
• 版次 01
• ISBN 9787030495624
• 定价 39.00元
• 装帧 平装
• 开本 16开
• 纸张 其他
• 页数 216页
• 字数 319千字
• 正文语种 简体中文

【内容简介】

理论教学内容包括五部分：化学热力学、化学反应速率理论、水溶液中的化学、电化学、化学在电子信息产业中的应用。配备相应实验内容：每部分包含一个对应的教学实验。本书以化学反应热力学基本原理为主，辅以介绍化学过程在芯片制造过程中的作用。内容精炼、突出重点、使用效率高。可作为普通高校非化学和化工专业的理工科专业大一、二年级学生的一门工科基础必修或选修课程使用教材。

【目录】

前言

1 热化学

1.1 热力学基本概念和术语

1.1.1 系统和环境

1.1.2 相

1.1.3 函数

1.1.4 热力学衡

1.1.5 过程与途径

1.2 热力学定律

1.2.1 热

1.2.2 功

1.2.3 热力学能

1.2.4 热力学定律的内容

1.3 恒容热、恒压热与焓变

1.3.1 恒容热

1.3.2 恒压热

1.3.3 焓与焓变

1.3.4 恒容热与恒压热的关系

1.3.5 盖斯定律

1.4 标准摩尔反应焓变与标准摩尔生成焓

1.4.1 标准摩尔反应焓变

1.4.2 标准摩尔生成焓

1.4.3 利用标准摩尔生成焓计算标准摩尔反应焓变

思题

题

2 反应方向、反应限度和反应速率

2.1 化学反应的方向

2.1.1 自发过程

2.1.2 分散度和混乱度

2.1.3 熵

2.1.4 熵增

2.1.5 标准摩尔熵

2.1.6 标准摩尔反应熵变

2.1.7 吉布斯函数和吉布斯函数变判据

2.1.8 吉布斯函数变和标准吉布斯函数变的关系

2.1.9 反应的吉布斯函数变的计算及应用

2.2 化学反应的限度和化学衡

2.2.1 反应限度的判据与化学衡

2.2.2 化学反应衡常数

2.2.3 化学衡的有关计算

2.2.4 利用衡常数和反应商判断反应的自发

2.2.5 化学衡的移动

2.3 化学反应速率

2.3.1 浓度的影响和反应级数

2.3.2 温度的影响和阿伦尼乌斯公式

2.3.3 反应的活化能和催化剂

思题

题

3 溶液

3.1 稀溶液的依数及其应用

3.1.1 液体的饱和蒸气压

3.1.2 蒸气压下降

3.1.3 沸点升高

3.1.4 凝固点降低

3.1.5 渗透压

3.2 弱电解质溶液与离子衡

3.2.1 弱酸和弱碱在水溶液中的解离衡

3.2.2 配离子的解离衡

思题

题

4 电化学与金属腐蚀

4.1 原电池

4.1.1 氧化还原反应与原电池

4.1.2 原电池热力学

4.2 电极电势

4.2.1 电极电势的形成和原电池的电动势

4.2.2 标准电极电势

4.3 能斯特方程

4.4 电动势与电极电势在化学中的应用

4.4.1 物质氧化还原相对强弱的比较

4.4.2 反应方向的判断与反应进行程度的衡量

4.5 金属腐蚀与护

4.5.1 金属腐蚀的起源与分类

4.5.2 金属腐蚀的护

4.6 化学电源

4.6.1 一次电池

4.6.2 二次电池

4.6.3 燃料电池

4.6.4 废弃化学电源与环境影响

4.7 电化学工学

4.7.1 电解及电解池中两极的电解产物

4.7.2 电解冶炼与精炼

4.8 电解加工

4.8.1 电解成型加工

4.8.2 电解磨削

4.8.3 电解刻蚀

4.8.4 电镀与电铸

4.8.5 电化学抛光

思题

题

5 电子信息中的化学

5.1 引言

5.1.1 半导体种类及质

5.1.2 集成电路

5.1.3 半导体材料的发展趋势

5.2 半导体晶片的制备

5.2.1 硅片的制造

5.2.2 石英坩埚的制备技术

5.2.3 硅单晶生长

5.2.4 晶片成形

5.2.5 晶片的测试分析

5.2.6 砷化镓单晶体生长技术

5.3 晶片清洗

5.3.1 概论

5.3.2 湿式清洗技术与化学品

5.3.3 干式清洗技术

5.3.4 干燥技术

5.3.5 各类污染物的来源

5.4 氧化工艺

5.4.1 二氧化硅膜的结构、质及其作用

5.4.2 氧化方法

5.5 化学气相沉积（cvd）工艺及化学品

5.5.1 cvd基本简介

5.5.2 各种化学气相沉积法反应简介

5.5.3 cvd制备工艺

5.6 金属沉积

5.6.1 物理气相沉积金属制作工艺

5.6.2 化学气相沉积金属制作工艺

5.7 光刻

5.7.1 概述

5.7.2 光刻胶及感光机理

5.7.3 光刻胶的主要能

5.7.4 光刻工艺过程

5.7.5 掩模版的制造

5.7.6 光刻用其他化学品

5.7.7 光刻曝光系统

5.8 刻蚀技术及其化学品

5.8.1 概述

5.8.2 湿法刻蚀

5.8.3 半导体工艺中常用材料的湿法刻蚀

5.8.4 干法刻蚀

5.8.5 半导体工艺中常用材料的干法刻蚀

5.9 坦化工艺及相关化学品

5.9.1 旋涂膜层（sog）技术

5.9.2 旋转涂布用低介电常数高分子材料

5.9.3 化学机械坦化技术

5.10 印刷电路板

5. 10.1 电路板的基本组成

5. 10.2 印刷电路板的制造

5. 10.3 光化学转移法印制电路板的制作

5.11 新型有机电子信息材料

5.11.1 导电高分子材料

5.11.2 有机纳米及分子器件

5.11.3 高介电常数材料

5.11.4 有机发光二极管材料的现状与发展趋势

5.11.5 生物芯片的现状与发展趋势

5.12 电子信息废液的回收

5.12.1 手机中贵金属的回收

5.12.2 酸蚀刻废液中贵金属的回收

思题

6 理工基础化学实验

6.1 实验目的、学方法及实验守则

6.2 实验内容

6.2.1 实验一：化学反应摩尔焓变的测定

6.2.2 买验二：化学反应速率的测定

6.2.3 买验三：醋酸解离度与解离常数的测定

6.2.4 实验四：钢铁件表面光亮镀锌

6.2.5 实验五：铝合金表面处理——阳极氧化

6.2.6 实验六：印刷线路板的化学加工

主要参文献