正版现货新书 应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术 9787511457936 郝敏如

本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；*后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。 
本书适用于可靠性方向工作者，尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。

本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；*后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。 
本书适用于可靠性方向工作者，尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。

郝敏如，女，1987年1月生。2018年6月于西安电子科技大学获得工学博士学位。2018年7月至今在西安石油大学理学院应用物理系从事教学科研工作。目前主要从事纳米应变MOS器件可靠性的应用研究。

1绪论（1） 

11引言（2） 

12MOS器件辐照效应的国内外研究现状（6） 

121国外研究现状（6） 

122国内研究现状（9） 

13本书章节安排（11） 

2应变Si技术及MOS器件辐照效应产生机理（13） 

21应变Si技术（14） 

211应变硅MOSFET性能增强机理（14） 

212应变引入机制（16） 

22MOS器件电离效应（21） 

221MOS器件电离效应（21） 

222MOS器件总剂量损伤机制（22） 

23MOS器件单粒子效应（25） 

231单粒子效应电荷淀积机理（27） 

232单粒子效应电荷收集机理（27） 

233单粒子瞬态效应模型（30） 

24本章小结（31） 

3单轴应变Si纳米沟道MOS器件设计与制造（33） 

31应变Si材料（34） 

311应变Si材料的能带结构（34） 

312载流子迁移率的增强机制（35） 

32单轴应变Si纳米沟道MOS器件设计（37） 

321SiN薄膜致应变器件性能仿真（37） 

322纳米级应变MOS器件工艺参数优化（40） 

33单轴应变Si纳米MOS器件制造（44） 

331单轴应变Si纳米沟道MOS器件制造工艺及实物样品（45） 

332单轴应变Si纳米沟道MOS器件测试结果与分析（50） 

34本章小结（52） 

4应变Si MOS器件γ射线总剂量辐照损伤机制（53） 

41辐照损伤效应总体分析（54） 

411移位损伤效应（54） 

412电离损伤效应（55） 

42应变Si MOS器件γ射线辐照损伤的物理过程（56） 

421电子空穴对的产生能量（57） 

422初始的空穴逃脱（57） 

423空穴的输运（58） 

424深空穴陷落和退火（59） 

425辐照引入的界面陷阱（60） 

43本章小结（61） 

5单轴应变Si纳米MOS器件总剂量辐照阈值电压模型（63） 

51总剂量γ射线辐照实验（64） 

52γ射线总剂量辐照MOS器件损伤机制（71） 

521总剂量辐照阈值电压模型（73） 

522总剂量辐照沟道电流模型（79） 

523模型结果讨论与验证（80） 

53总剂量X射线辐照实验（87） 

54本章小结（90） 

6总剂量辐照对单轴应变Si纳米MOS器件栅电流的研究（91） 

61总剂量辐照热载流子栅电流模型（92） 

611总剂量辐照热载流子栅电流增强机制（92） 

612热载流子栅电流模型（94） 

613结果与讨论（96） 

62总剂量辐照隧穿栅电流模型（101） 

621总剂量辐照栅隧穿电流（101） 

622结果与讨论（108） 

63总剂量辐照下衬底热载流子效应（112） 

631衬底热载流子电流模型的建立（113） 

632总剂量辐照下衬底电流的仿真分析（115） 

633总剂量辐照下衬底电流的结果与讨论（116） 

64本章小结（118） 

7单轴应变结构对Si NMOS器件单粒子瞬态影响研究（119） 

71单轴应变Si NMOS器件仿真模型（120） 

72氮化硅膜的能量阻挡模型建立（123） 

73不同氮化硅膜厚度下的单粒子瞬态（125） 

731电离损伤参数提取（125） 

732不同氮化硅膜厚度下的单粒子瞬态研究（126） 

74双极效应研究（127） 

741单个NMOS器件双极放大效应研究（127） 

742反相器链的双极效应研究（130） 

75不同重离子能量下的单粒子瞬态（134） 

751电离损伤参数提取（134） 

752不同重离子能量下的单粒子瞬态研究（135） 

76本章小结（136） 

8应变Si NMOS器件单粒子效应及加固技术研究（137） 

82MOS器件单粒子瞬态效应研究（140） 

821器件结构及物理模型（140） 

822仿真结果与分析（141） 

83总剂量辐照对单粒子瞬态效应影响（147） 

831总剂量效应模型参数提取（147） 

832总剂量效应与单粒子效应耦合仿真（148） 

84U形沟槽新型加固器件结构（151） 

841新型加固结构（151） 

842新型加固器件结构对单粒子瞬态效应的影响（154） 

843漏极扩展加固结构（157） 

844源极扩展加固结构（158） 

85两种加固结构的仿真（159） 

851漏极扩展结构仿真（159） 

852源极扩展结构仿真（162） 

853两种结构的对比和讨论（164） 

86本章小结（166） 

9总结与展望（167） 

参考文献（171）

本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；*后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。 
本书适用于可靠性方向工作者，尤其是从事微电子器件可靠性的教师及科研人员参考使用。

郝敏如，女，1987年1月生。2018年6月于西安电子科技大学获得工学博士学位。2018年7月至今在西安石油大学理学院应用物理系从事教学科研工作。目前主要从事纳米应变MOS器件可靠性的应用研究。