正版现货新书 硅基氮化镓光电探测器的多层异质外延生长研究 9787568414241 郑益
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作者郑益
出版社江苏大学出版社
ISBN9787568414241
出版时间2020-07
装帧平装
开本32开
定价38元
货号1202206489
上书时间2024-10-13
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商品详情
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作者简介
郑益，江苏常州人，本科毕业于吉林大学微电子系，硕士、博士就读于新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院，师从K．RadhaHshnan副教授，主攻III-V族氮化物宽带半导体材料外延工艺，半导体光电器件、高迁移率晶体管制造工艺。在博士就读期间，在硅基氮化物红外光电探测器研发方面取得了突破进展，次成功获得了具有中红外光电响应的硅基氮化镓红外光电探测器。目前就职于常州工学院光电工程学院，主要研究III-V族宽带薄膜材料。
目录
Chapter 1 Introduction
1.1 GaN material properties
1.2 Substrates for CaN epitaxial growth
1.3 AIGaN based heterostructure for photodetector application
1.4 Challenges for GaN and AIGaN growth on Si (111)
1.5 Motivation and objectives
1.6 Book organization
Chapter 2 Literature Review
2.1 AIGaN and GaN growth optimization
2.1.1 AlN growth on Si (111)
2.1.2 GaN growth on Si (111)
2.1.3 A1xGa1-xN growth on Si (111)
2.2 Si doping in GaN and AIGaN
2.3 AIGaN and GaN based UV photodetector
2.3.1 Junction based UV photodetector
2.3.2 Metal-semiconductor-metal ultraviolet detector
……
内容摘要
本书为英文图书，研究了氮化铝缓冲层对氮化镓外延层表面形貌和晶体质量的影响，讨论了氮化镓异质外延生长中镓扩散到硅衬底中并溶解形成镓—硅合金的途径，很终经过优化得以实现利用等离子辅助分子束外延在硅（111）衬底上生长出无微晶的光滑氮化镓外延层。作者在优化过程中发现了非晶氮化硅薄层在镓/硅扩散中的阻挡缓冲作用，并利用此缓冲层优化了氮化铝镓的外延生长，很终实现了总厚度高达1.4μm氮化镓和氮化铝镓无裂纹外延层的生长。作者在研究中，利用优化生长的外延层，成功地在硅衬底上生长了应用于紫外光电探测器的多层结构，并详细研究了器件尺寸对紫外光响应性的影响；利用优化的紫外探测器机构，获得了应用于紫外/红外双波段光电探测器的多层结构并取得了0.01A/W紫外光电响应和在4.52μm波长峰值上的近红外光电响应。书稿对这些研究过程与结果做了学理性阐释。
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