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正版现货新书 垂直型GaN和SiC功率器件 9787111705024 [日]望月和浩
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作者[日]望月和浩
出版社机械工业出版社
ISBN9787111705024
出版时间2021-05
装帧平装
开本16开
定价99元
货号11652062
上书时间2024-10-08
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商品详情
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作者简介
望月和浩（Kazuhiro Mochizuki）1986年获得学士学位，1988年获得硕士学位，1995年获得日本东京大学电子工程专业博士学位。1988年加入东京日立株式会社中央研究实验室，参与了GaN和SiC功率器件以及GaAs（砷化镓）微波功率放大器的研究。从1999年到2000年，担任加州大学圣地亚哥分校访问研究员。自2015年以来，他供职于日本国家优选工业科学技术研究所。目前研究方向与高压超结功率器件有关。他先后在靠前学术期刊和会议论文集上发表100多篇研究论文。IEEE不错会员，日本应用物理学会会员。东京电子通信大学和东京法政大学兼职讲师。
目录
译者的话
原书前言
第1章 垂直型与横向功率半导体器件
1.1 引言
1.2 典型功率半导体器件特性
1.3 垂直型与横向单极功率半导体器件
1.3.1 垂直型和横向单极功率开关器件
1.3.2 垂直型和横向单极功率二极管
1.4 总结
参考文献
第2章 GaN和SiC的物理性质
2.1 引言
2.2 晶体结构
2.2.1 AIN和GaN的晶体结构
2.2.2 SiC的晶体结构
2.2.3 晶体缺陷
2.3 能带
2.4 杂质掺杂
2.4.1 n型掺杂
2.4.2 p型掺杂
2.5 载流子迁移率
2.6 碰撞电离
2.7 品质因数
2.8 总结
参考文献
第3章 p-n结
3.1 引言
3.2 扩散
3.3 连续性方程
3.4 载流子复合寿命
3.4.1 带间复合寿命
3.4.2 间接复合寿命
3.4.3 俄歇复合寿命
3.4.4 载流子复合寿命的整体表达式
3.5 一维p+n突变结的耗尽区宽度
3.6 一维正向电流／电压特性
3.6.1 小注入条件
3.6.2 大注入条件
3.6.3 测量电流／电压特性的示例
3.7 多维正向电流／电压特性
3.7.1 表面复合对p+n二极管外部电流的影响
3.7.2 电场强度对非自对准台面型p+n二极管的影响
3.8 结击穿
3.9 总结
参考文献
第4章 光子回收效应
4.1 引言
4.2 光子回收现象的分类
4.3 本征光子回收
4.4 本征光子回收对正偏GaN p-n结二极管的影响
4.5 自热效应对正偏GaN p-n结二极管的影响
4.6 非本征光子回收对正偏GaN p-n结二极管的影响
4.7 非本征光子回收的可能模型
4.8 总结
参考文献
第5章 体块单晶生长
第6章 外延生长
第7章 制作工艺
第8章 金属半导体接触和单极功率二极管
第9章 金属绝缘体半导体电容器和单极功率开关器件
第10章 双极功率二极管和功率开关器件
第11章 边缘终端
第12章 垂直型GaN和SiC功率器件可靠性
内容摘要第1章垂直型与横向功率半导体器件
1.1引言
Si基电子器件的成功应用促进了功率相对较低（小于10W）的微电子和纳米电子技术的快速发展（见图1.1）。即使在处理更高功率的电力电子系统中，Si基电子器件在近几十年中也发挥着重要作用。然而，Si基电子器件正在通近材料基本特性的极限。由于宽禁带半导体具有比Si更优越的材料特性，因此作为新一代功率器件用半导体材料引发了广泛关注（见2.7节）。
最具有优势的宽禁带半导体材料是碳化硅（SiC），例如将其应用到轨道交通牵引逆变器中可以显著地降低功率变换损耗[。另一种新的宽禁带半导体材料是氮化镓（GaN）。对于开关电源和消费类电子产品，采用Si衬底GaN外延材料的横向功率器件具有较大的成本效益[2]（见1.3.1.1节）。此外，垂直型GaN功率器件由于具有较大的电流处理能力[3]，也吸引了广泛关注。如图1.2a和b上的箭头所示，Sic和GaN都有望提高器件的额定功率（通过增加芯片中的电流密度）和开关频率，如2.7节所述。本章的1.3节对垂直型和横向GaN和SiC功率器件进行了比较。
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精彩内容
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