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作者[美]Sandip、[印]Aswin Sreedhar 著;王昱阳、谢文邀 译
出版社科学出版社
出版时间2014-05
版次1
装帧平装
上书时间2024-09-08
《纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计》的内容包括:CMOSVLSI电路设计的技术趋势;半导体制造技术;光刻技术;工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模;面向可制造性的物理设计技术;测量、制造缺陷和缺陷提取;缺陷影响的建模和合格率提高技术;物理设计和可靠性;DFM工具和DFM方法。
纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计
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