soi——纳米技术时代的高端硅基材料 大中专理科电工电子 林成鲁编 新华正版
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作者林成鲁编
出版社中国科学技术大学出版社
ISBN9787312022333
出版时间2009-06
版次1
装帧平装
开本16
页数468页
定价88元
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目录：
soi——纳米技术时代的高端硅基材料进展
纳米技术时代的高端硅基材料——soi、ssoi和goi
soi技术的发展动态
硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势
fabrication of sige-on-insulator and applications for strained si
overview of soi materials technology in china
soi新材料的制备科学
以注氧隔离(simox)技术制备高阻soi材料
硅中注h+引起的缺陷和应力以及剥离的机制
以aln为绝缘埋层的新结构soan材料
多孔硅外延层转移技术制备soi材料
eltran技术制备双埋层soim新结构
soi新结构——soi研究的新动向
fabrication of silicon．on．aln novel structure and its residual strain characterization·
buried tungsten silicide layer in silicon on insulator substrate by smart-cut
void—free low-temperature silicon direct—bon technique using sma activation
microstructure and crystallinity of porous silicon and epitaal silicon layers fabricated on p+porous silicon
formation of silicon-on-diamond by direct bon of sma-synthesized diamond-like carbon to silicon
thermal stability of diamondlike carbon buried layer fabricated by sma immersion ion imntation and deition in silicon on insulator
study of soi substrates incorporated with buried mosiz layer
soi材料与器件特有的物理效应
s0i mosfet浮体效应研究
soi mosfet的自加热效应研究
s0i器件的辐效应及其在抗辐电子学方面的应用进展
evolution of hydrogen and helium co-imnted single-crystal silicon during annealing
……
sgoi新结构和应变硅的制备科学
soi技术的若干应用研究
内容简介：
绝缘体上硅（ilicon on inulator，oi）技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿，被上为“二十一世纪的硅集成电路技术”。本书收集的纳米技术时代的高端硅基oi材料方面的研究40篇，主要内容包括：oi——纳米技术时代的高端硅基材料进展，oi新材料的制备科学，oi材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅（ilicon germanium on inulator，goi）新结构和应变硅的制备科学，oi技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。 本书可作为微电子、光电子、微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参资料。
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