掺杂ⅢA族元素硅基光电材料能概论
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作者闫玲玲
出版社中国矿业大学出版社
ISBN9787564631802
出版时间2019-12
装帧平装
开本16开
定价32元
货号1202346819
上书时间2024-07-03
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商品详情
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目录
1 绪论
1.1 Si基硫化镉研究
1.2 Si-NPA
1.3 CdS/Si-NPA
1.4 本课题的研究思路及主要研究内容
参考文献
2 CdS/Si-NPA的制备、表征与性能研究
2.1 CdS/Si-NPA的制备
2.2 CdS/Si-NPA的形貌与结构
2.3 CdS/Si-NPA的物理性能
2.4 CdS/Si-NPA的电致发光性能
2.5 CdS/Si-NPA的光伏性能
2.6 本章小结
参考文献
3 掺杂B元素CdS/Si-NPA的制备、表征及其光电性能
3.1 掺杂B元素CdS/Si-NPA的制备
3.2 掺杂B元素CdS/Si-NPA的表面形貌
3.3 掺杂B元素CdS/Si-NPA的结构
3.4 掺杂B元素CdS/Si-NPA的物理性能
3.5 掺杂B元素CdS/Si-NPA的电致发光性能
3.6 掺杂B元素CdS/Si-NPA的光伏性能
3.7 本章小结
参考文献
4 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的制备、表征及其光电性能
4.1 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的制备
4.2 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的表面形貌
4.3 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的结构
4.4 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的物理性能
4.5 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的电致发光性能
4.6 掺杂A1元素CdS/Si-NPA的光伏性能
4.7 本章小结
参考文献
5 掺杂In元素CdS/Si-NPA的制备、表征及其光电性能
5.1 掺杂In元素CdS/Si-NPA的制备
5.2 掺杂In元素CdS/Si-NPA的表面形貌
5.3 掺杂In元素CdS/Si-NPA的结构
5.4 掺杂In元素CdS/Si-NPA的物理性能
5.5 掺杂In元素CdS/Si-NPA的电致发光性能
5.6 掺杂In元素CdS/Si-NPA的光伏性能
5.7 本章小结
参考文献
第6章 Zn0/Si-NPA光电探测器的制备与探测性能研究
6.1 前言
6.2 Zn0的基本性质
6.3 Zn0的合成方法
6.4 Zn0/Si-NPA的制备与优化
6.5 Zn0/Si-NPA光电特性的研究与分析
6.6 本章小结
参考文献
7 结论与展望
内容摘要
基于硅材料在电子工业中的重要地位以及硅纳米材料所呈现的优异光电性能，学者们对硅基纳米器件的构建和光电性能的研究产生了极大兴趣。硅基纳米器件具有特殊的物理性能和化学性能，可用来制备具有规则阵列结构的硅基功能性纳米复合体系，其具有明显的整流效应和光伏性能，是一种具有广阔应用前景的光电器件。《掺杂ⅢA族元素硅基光电材料性能概论》对掺杂ⅢA族元素对硅基纳米器件光电性能的影响进行了概述。《掺杂ⅢA族元素硅基光电材料性能概论》可供材料工程、微电子等研究方向的研究生及相关领域的科技工作者阅读参考。
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